国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“存储器设备与其制造的进程”的专利，公开号CN121215604A，请求日期为2025年9月。
专利摘要显现，一种存储器设备与其制造的进程包含构成高介电常数介电层于榜首以及第二基板区域上。直接在榜首基板区域上方构成榜首献身层。在榜首以及第二基板区域上构成金属层。在金属层上构成第二献身层。移除直接在榜首基板区域上方的金属层与第二献身层。履行退火工艺于金属层上，以在直接在第二基板区域上方的高介电常数介电层中构成偶极区域。移除金属层与第二献身层。接着直接在榜首基板区域上方构成榜首高介电常数金属栅极结构和直接在第二基板区域上方构成第二高介电常数金属栅极结构。经过驱动金属层中的金属元素进入高介电常数介电层中在第二晶体管的高介电常数金属栅极中构成偶极区域，可借此下降操作具有导电类型的第二晶体管的阈值电压。
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