单片机存储器类型详解 分为两大类 RAM 和 ROM，每一类下面又有很多子类： RAM：SRAM SSRAM DRAM SDRAM ROM：MASK ROM OTP ROM PROM EPROM EEPROM FLASH Memory RAM：Random Access Memory 随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入， 这种存储器在断电时将丢失其 存储内容，故大多数都用在存储短时间使用的程序。它的特点是是易挥发性 （volatile） ，即掉电失忆。我们常说的电脑内存就是 RAM 的。 ROM：Read Only Memory 只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与 RAM 相反。 RAM 和 ROM 的分析对比： 1、我们一般能这样认为，RAM 是单片机的数据存储器，这里的数据 包括内部数据存储器（用户 RAM 区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功 能寄存器 SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失 性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的） 。 ROM 是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里 的数据指的是要存下来的数据，即单片机掉电后任旧存在的数据，比如采 集到的最终信号数据等。而 RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一 个暂存数据的作用， 比如对采集的数据做一些处理运算， 这样就产生中间量， 然后通过 RAM 暂时存取中间量，最终的结果要放到 ROM 的数据存储器中。 如下图所示：
电信号可擦除，现在很多单片机都是 FLASH 的 MASK ROM，FALSH ROM 和 OTP ROM 的区别： MASK ROM 的单片机价格实惠公道，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不 变的应用场合；FALSH ROM 的单片机程序能反复擦写，灵活性很强，价格最高， 是目前市场的主流；OTP ROM 的 MCU 价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可 编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断 翻新、需要迅速量产的电子科技类产品。 OTP ROM 和 PROM 的共同点是只能被设备编程器进行一次编程。 DDR: Double Date Rate 双倍速 常见的 DDR SDRAM 指的是双倍速率同步动态随机访问存储器 1、DDR SDRAM 和 SDRAM 的差别： SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传 输；而 DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和 下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR 内存可以 在与 SDRAM 相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 2、DDR 其实是 DDR1，后续的还有 DDR2 和 DDR3。DDR3 能代替 DDR2 内存的 原因： 频率： DDR3 可以在 800MHz 至 1666MHz 下运行 （也可更高）而 DDR2 是在 533MHz ， 至 1066MHz 下运行。通常来说，DDR3 是 DDR2 频率的两倍，通过削减一半读写时 间给系统带来操作性能提高。 功耗：DDR3 相比 DDR2 能节约 16%的电能，因为新一代 DDR3 是在 1.5V 电 压下工作，而 DDR2 则是在 1.8V 下工作，这样做才能够弥补由于过多的操作频率所产 生的高电能消耗，同时，减少的能量消耗能延续部件的常规使用的寿命。 技术：DDR3 内存 Bank 增加到了 8 个，比 DDR2 提高了一倍。所以相比 DDR2 预读取会提高 50%的效率，是 DDR2 标准的两倍。
谓的“动态” ，指的是当我们将数据写入 DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失， 因此就需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容是不是有电荷，有电荷代表 1，无电 荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，这就 是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行全方位检查，若电量大于满电量的 1／2， 则认为其代表 1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表 0，并把电 容放电，借此来保持数据的连续性。 DRAM 存储单元的结构格外的简单，所以它所那个达到的集成度远高于静态存 储器。但是 DRAM 的存取速度不如 SRAM 快。 SSRAM: Synchronous Static RAM 同步静态随机访问存储器 同步是指 Memory 工作需要时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以 它为基准， 随机是指数据不是线性依次存储， 而是由指定地址进行数据读写。 对于 SSRAM 的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入 和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步 SRAM 不同，异步 SRAM 的 访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。 SDRAM: Synchronous Dynamic RAM 同步动态随机访问存储器 由以上的对 SSRAM 的分析能了解 SDRAM MASK ROM:掩模只读存储器 是制造商为了要大量生产， 事先制作一颗有原始数据的 ROM 或 EPROM 当 作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的 ROM 样 本就是 MASK ROM，而烧录在 MASK ROM 中的资料永远无法做修改。 OTP ROM: one-time programmable ROM 一次性可编程只读存储器 PROM：Programmable ROM 可编程只读存储器 内容一经写入以后，就不可能修改了，所以只可以写入一次 EPROM: Erasable Programmable ROM 可擦除可编程只读存储器 用紫外线照射进行擦除，高压编程写入（21V 或12V） EEPROM: Electrically Erasable Programmable ROM 电信号可擦除可编程只读存储器，用电信号擦除 FLASH Memory: 闪存
2、ROM 在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重 新写入数据。它的优点是电路结构相对比较简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺 点是只适用于存储那些固定数据的场合。 RAM 与 ROM 的根本区别是 RAM 在正常工作状态下就可以每时每刻向存储器里 写入数据或从中读取数据。 SRAM: Static RAM 静态随机访问存储器 它是一种具有静止存取功能的内存， 不需要刷新电路即能保存它内部存 储的数据。 不像 DRAM 内存那样需要刷新电路， 每隔一段时间， 固定要对 DRAM 刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此 SRAM 具有较高的性能，但 是 SRAM 也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的 DRAM 内存可以设计 为较小的体积，但是 SRAM 却需要很大的体积，所以在主板上 SRAM 存储器要 占用一部分面积。 优点:速度快，不必配合内存刷新电路，可提升整体的工作效率。 缺点:集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，且价格较高，少 量用于关键性系统以提高效率。 DRAM: Dynamic RAM 动态随机访问存储器 DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 使用电容存储，所 以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信 息就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是 怎么工作的呢？ 我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM） ，动态内存中所
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