1、本公司及全体董事、审计委员会委员、高级管理人员承诺募集说明书及别的信息披露资料不存在任何虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性及完整性承担对应的法律责任。
2、公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人保证募集说明书里面财务会计资料线、中国证监会、上海证券交易所对这次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投入资产的人的收益作出实质性判断或保证。
4、根据《证券法》的规定，证券依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发行人自行负责。投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承担证券依法发行后因发行人经营与收益变化或者证券价格变革引致的投资风险。
本公司特别提请投资者注意，在作出投资决策之前，务必仔细阅读本募集说明书正文内容，并关切以下重要事项。
本次发行的股票为境内上市人民币普通股（A股），每股面值人民币 1.00元。
本次发行全部采取向特定对象发行 A股股票的方式，在经上交所审核通过以及获得中国证监会予以注册的文件后，将在规定的有效期内择机发行。
本次发行对象为不超过 35名符合中国证监会规定条件的特定对象，包括证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、资产管理公司、保险机构投资的人、合格境外机构投资的人、其他境内法人投资者、自然人或其他合格投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资的人、人民币合格境外机构投资的人以其管理的 2只以上产品认购的，视为一个发行对象；信托公司作为发行对象的，只能以自有资金认购。
本次向特定对象发行 A股股票的认购对象尚未确定，最终发行对象将在这次发行通过上交所审核并获得中国证监会予以注册的文件后，由董事会及其授权人士在股东会授权范围内按照中国证监会、上交所等有权部门的相关规定，根据竞价情况与保荐人（承销总干事）协商确定。若发行时国家法律、法规或规范性文件对发行对象另有规定的，从其规定。所有发行对象均以同一价格认购这次发行股票，且以人民币现金方式认购。
本次向特定对象发行股票采取竞价发行方式，本次向特定对象发行的定价基准日为发行期首日。
本次向特定对象发行股票的发行价格为不低于定价基准日前二十个交易日 （不含定价基准日，下同）公司股票交易均价的 80%，上述均价的计算公式为： 定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准日前二十个交易日股票交易 总额/定价基准日前二十个交易日股票交易总量。若公司股票在该二十个交易日 内发生因派息、送股、配股、资本公积转增股本等除权、除息事项引起股价调整 的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过相应除权、除息调整后的价格计算。 若公司股票在定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积金转增股 本等除权、除息事项，这次发行的发行价格将作相应调整。调整方式如下： 最终发行价格将在本次发行申请获得上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定后，由公司董事会及其授权人士根据股东会授权与保荐人（承销总干事）按照有关规定法律法规的规定和监管部门的要求，遵照价格优先等原则，根据发行对象申购报价情况协商确定，但不低于前述发行底价。
本次向特定对象发行股票的数量按照募集资金总额除以发行价格确定，且不超过本次发行前公司总股本的 30%，即本次发行不超过 84,349,179股（含本数）。
最终发行数量由公司董事会及其授权人士根据股东会授权、中国证监会及上交所相关规定、中国证监会注册的发行数量上限与保荐机构（主承销商）协商确定。
若公司在审议本次向特定对象发行事项的董事会决议公告日至发行日期间发生送股、资本公积金转增股本等除权事项或者因股份回购、股权激励计划等事项导致公司总股本发生变化，本次向特定对象发行的股票数量上限将作相应调整。
若本次向特定对象发行的股份总数因监管政策变化或根据发行注册文件的要求予以变化或调减的，则本次向特定对象发行的股份总数及募集资金总额届时将相应变化或调减。
本次发行完成后，发行对象认购的股票自发行结束之日起六个月内不得转让。法律和法规、规范性文件对限售期另有规定的，依其规定。
这次发行完成后至限售期届满之日止，发行对象基于这次发行所取得的股票因公司分配股票股利、资本公积金转增股本等情形所衍生取得的股票亦应遵守上述股份锁定安排。限售期届满后，该等股份的转让和交易还需遵守《公司法》《证券法》以及《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律法规及规范性文件的规定。
本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币 460,000.00万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入以下项目：
注：其中“高端半导体设备产业化基地建设项目”系公司使用首次公开发行募集资金26,826.60万元投资的项目，公司拟使用本次募集资金 150,000.00万元对其进行追加投资，剩余 3.51万元以自有资金投入。
在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整，募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自有或自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自有或自筹资金解决。
本次向特定对象发行股票决议的有效期为自公司股东会审议通过之日起 12个月。
本公司特别提醒投资者仔细阅读本募集说明书“第六节 与本次发行相关的风险因素”全文，并特别注意以下风险：
近年来，受下游新兴需求不断涌现、半导体产业向中国大陆转移、客户资本性支出增加等因素影响，国内半导体设备市场需求整体呈持续增长趋势。但由于半导体行业受国际经济波动、终端消费市场需求变化等方面影响较大，其发展往往呈现一定的周期性波动特征。在半导体行业上行周期中，半导体芯片制造厂往往加大资本性支出，快速提升对半导体设备的需求；若未来半导体行业处于下行周期中，半导体芯片制造厂往往会削减资本性支出，减少对半导体设备的需求。
前述宏观环境及行业波动造成的半导体设备需求波动，可能会为公司的业务发展和经营业绩带来一定波动性风险。
半导体设备行业具有很高的技术壁垒和市场壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，由于半导体产线对于设备技术水平、稳定性、设备间配合度要求极高，因此半导体设备的验证周期与导入周期一般较长，与中国大陆半导体专用设备厂商相比，国际领先制造商往往在客户端具备一定先发优势；此外，存在国内潜在竞争对手进入本行业参与竞争的可能性，引起行业竞争格局的变化。尽管公司的主要产品与核心技术目前具备较大的领先地位与竞争优势，但若无法有效应对市场竞争环境、维持技术创新迭代能力并保持产品竞争优势，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能会受到一定影响。
在生产阶段，公司主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。薄膜沉积设备作为前道制造核心设备，其技术特性决定了下游往往需要深度验证指标工艺的稳定性与一致性，在客户端的验证周期较长，因此公司发出商品随着业务规模扩张、产品种类的增加、在手订单规模的扩大而增加，报告期各期末，公司的发出商品账面价值分别为 129,077.49万元、190,177.27万元、413,448.88万元和 464,901.74万元。如果未来产品验收情况不及预期或出现较大技术迭代，可能导致公司部分发出商品可变现净值低于账面净值，需计提发出商品跌价准备，从而影响公司的盈利水平。
报告期各期末，公司应收账款账面余额分别为 26,558.22万元、54,095.07万元、151,846.15万元和 125,925.06万元，占对应期间的营业收入的比例分别为15.57%、20.00%、37.00%和 29.84%，公司应收账款金额较大。随着公司经营规模的扩大，应收账款金额将可能进一步增加，公司面临资产周转率下降、营运资本占用增加的风险。如果未来出现公司应收账款催收不力或主要客户自身发生重大经营困难导致公司无法及时收回货款的情况，将对公司利润水平产生一定影响。
公司在报告期内持续承担实施国家重大专项或课题及地方政府科研项目，收到的政府补助主要是对公司研发投入的支持。如果公司未来不能持续获得政府补助，或政府补助显著降低，公司将需要投入更多自筹资金用于研发，进而影响公司流动资金规模。
同时，报告期内公司享受高新技术企业所得税等税收优惠政策，如果国家上述税收优惠政策发生明显的变化，则可能面临因税收优惠减少或取消对净利润造成一定程度的影响。
近年来，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔求也日益提升。在此背景下，公司持续保持高强度的研发投入，紧跟芯片制造工艺、基础学科的发展方向，立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律，继续深化与客户协同研发的机制，精准锚定其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求，系统性规划工艺优化和迭代方向，专项开发定制化、高适配度的解决方案，支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。
若行业技术发展趋势及下游研发进展发生重大变化，下游芯片制造厂未延续此前与公司协同研发的技术路径，公司技术研发将可能出现与下游技术研发路线不同步等情况，可能出现无法及时响应下游客户对产线设备和工艺技术的需求并对公司的经营业绩造成不利影响。
公司这次发行募集资金投资项目主要用于高端半导体设备扩产、前沿技术研发和补充流动资金，是基于当前行业趋势、市场环境、公司业务状况和未来发展战略等因素确定的，募集资金投资项目经过了慎重、充分的可行性研究论证。若前述因素发生重大变化，这次募集资金投资项目的投资进度、建设过程及实施结果等将存在一定的不确定性，募投项目亦可能面临无法按期顺利实施的风险。
高端半导体设备产业化基地建设项目是为显著提升公司高端半导体设备的研发、生产能力，以应对未来下游客户先进产线扩产、工艺升级对高端半导体设备的需求。但若未来出现国际国内形势发生重大不利变化、半导体行业景气度下行等不利情况，导致下游客户扩产进度放缓或市场需求不及预期，公司将面临募投项目短期内无法盈利的风险。
前沿技术研发中心建设项目是为战略布局薄膜沉积设备领域的前沿核心技术，开发可适用于前沿技术领域的新产品、新工艺，是围绕国家产业政策方向、行业技术创新趋势和公司自主研发能力等综合确定，募投项目经过了慎重、充分的可行性研究论证。但若行业技术发展趋势及下游研发进展发生重大变化，公司本次募投项目的技术研发将可能出现未达研发目标、产业链协同研发进度不同步等情况，公司将面临募投项目的研发成果不达预期的风险。
本次向特定对象发行股票相关事项已经公司第二届董事会第十八次会议审议、公司 2025年度第三次临时股东大会及公司第二届董事会第二十次会议审议通过。
拓荆科技股份有限公司（就本募集说明书中涉及公司业务的相关 内容，除特别说明外，含合并报表范围内的下属公司）
Piotech International Corporation，系公司全资子公司
经中国证监会审批向境内投资者发行、在境内证券交易所上市、 以人民币认购和交易、每股面值为人民币1.00元的普通股
拓荆科技股份有限公司股东会，2025年11月19日前称拓荆科技股 份有限公司股东大会
拓荆科技股份有限公司监事会，于2025年11月19日经公司股东大 会决议取消
2022年12月31日、2023年12月31日、2024年12月31日及2025年9 月30日
第九条、第十条、第十一条 第十三条、第四十条、第五十七条、第六十条有关规定的适用意 见——证券期货法律适用意见第18号》
Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导体 设备与材料协会
Applied Materials, Inc，即应用材料公司，知名半导体制造设备供 应商，总部位于美国
Lam Research Corporation，即泛林半导体公司，知名半导体制造 设备供应商，总部位于美国
Tokyo Electron Limited，即东京电子有限公司，知名半导体设备 制造商，总部位于日本
SUSS MicroTec SE，微结构设备和工艺解决方案供应商, 总部位 于德国
半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以 是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅、氮 化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的前段工序FEOL （制作晶体管等部件）和后段布线工序BEOL（将在FEOL制造的 各部件与金属材料连接布线以形成电路）均有多处应用
在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光 金属化等特定工艺加工过程中的硅片
通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过 程，一般分为前道晶圆制造和后道封装测试
公司销售活动中，部分客户要求预先验证公司生产的机台，待工 艺验证通过后转为正式销售。Demo机台通常是新工艺、新机型 的首台设备
在半导体制造的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑 外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工 艺
处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构封 装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、硅通孔技术（TSV） 2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴
Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
High Bandwidth Memory，是一种基于3D堆叠技术的高性能 DRAM解决方案
一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者 平面NAND闪存带来的限制
Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积，是指化学气体或蒸汽 在基底表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应 用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材 料，大多数金属材料和金属合金材料
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学 气相沉积
紫外固化，紫外固化是辐射固化的一种，是利用紫外线UV产生 辐射聚合、辐射交联等作用，可以有效改善薄膜的物理性能和化 学性能
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，等离子体增强原子层 沉积
Thermal Atomic Layer Deposition，热处理原子层沉积
Sub-atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition，次常压化学 气相沉积
High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，高密度等离子体 化学气相沉积
Flowable Chemical Vapor Deposition，流动性化学气相沉积
Tetraethyl Orthosilicate，正硅酸乙酯，可作为SiO薄膜的反应源 2
Silicon Oxynitride，即氮氧化硅，主要用于光刻过程中的消光作 用，提高曝光效果
N-FREE DARC（Nitrogen-free Dielectric Anti-reflective Coating） 主要用于光刻过程中的消光作用，提高曝光效果，避免光刻胶中 毒
Fluorinated Silicate Glass，即掺杂氟的氧化硅，做为层间介质层 可以降低介质层的介电常数，减少寄生电容
Shallow Trench Isolation，通常用于0.25微米以下工艺，通过图形 化工艺在晶体管结构之间形成槽填充绝缘层，以达到晶圆表面器 件之间隔离
Phospho-silicate Glass，即掺杂磷的二氧化硅，可用于金属布线层 间的绝缘层、回流介质层和表面钝化保护层
Boro-phospho-silicate Glass，即掺杂了硼和磷的二氧化硅
在集成电路制造过程中沉积的Lok Ⅰ、Lok Ⅱ、ADC Ⅰ、ACHM、α-Si 等介质薄膜材料
掺碳氧化硅薄膜，是低介电常数薄膜，主要应用于集成电路芯片 后段互连层间介导层，通过低介电常数，降低电路的漏电电流， 降低导线之间的电容效应，提高芯片性能
超低介电常数薄膜，为Lok Ⅰ的下一代新型介质薄膜，通过相对于 Lok Ⅰ更低的超低介电常数，降低电路的漏电电流，降低导线之间 的电容效应，提高芯片性能
Amorphous Cabon Hard Mask，非晶碳硬掩模，该薄膜能够提供良 好的刻蚀选择性
Nitrogen Doped Carbide，先进掺氮碳化硅薄膜，主要应用于扩散 阻挡层以及刻蚀阻挡层，由于较低的介电常数，可以降低导线间 的电容效率，提升了芯片整体的传输性能
Oxide Doped Carbide，先进掺氧碳化硅薄膜，主要应用于扩散阻 挡层以及刻蚀阻挡层，相较ADC Ⅰ可以实现更低的介电常数，降 低导线间的电容效率，提升了芯片整体的传输性能
High Tensile Nitride，即高应力氮化硅，主要用于先进制程中的前 道应力记忆层，通过应力记忆减小短沟道效应，增强载流子迁移 率，提高器件速度
Amorphous Silicon，非晶硅，主要应用在硬掩模以实现小尺寸高 深宽比的图形传递
四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内最多有2个 沉积站，每次可以同时最多处理6片晶圆
由2个四边形传片平台相连接，最多搭载5个反应腔，每个反应腔 内最多有2个沉积站，每次可以同时最多处理10片
四边形传片平台，最多搭载3个反应腔，每个反应腔内有6个沉积 站，每次可以同时最多处理18片晶圆
六边形传片平台，最多搭载5个反应腔，每个反应腔内有2个沉积 站，每次可以同时最多处理10片晶圆
六边形传片平台，即TS-300型号平台的缩小版，最多搭载5个反 应腔，每个反应腔内有1个沉积站，每次可以同时最多处理5片晶 圆
五边形传片平台，最多搭载4个反应腔，每个反应腔有2个沉积站 每次可以同时最多处理8片晶圆
本募集说明书除特别说明外所有数值保留两位小数，若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。
国投（上海）创业投资管理有限公司－国投（上海） 科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）
中国工商银行股份有限公司－易方达上证科创板 50 成份交易型开放式指数证券投资基金
招商银行股份有限公司－华夏上证科创板 50成份交 易型开放式指数证券投资基金
中信证券股份有限公司－嘉实上证科创板芯片交易 型开放式指数证券投资基金
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务，所处的行业为半导体专用设备行业。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司隶属于“专用设备制造业”下的“半导体器件专用设备制造”（C3562）；根据国家统计局颁布的《战略性新兴产业分类（2018年版）》，公司隶属于新一代信息技术产业下的集成电路制造行业。
公司所处行业政府主管部门为国家工业和信息化部及科技部，行业自律组织为中国半导体行业协会和中国电子专用设备工业协会。
工信部主要负责拟订实施行业规划、产业政策和标准，监测工业行业日常运行，推动重大技术装备发展和自主创新，管理通信业，指导推进信息化建设，协调维护国家信息安全等。
科技部主要负责拟订国家创新驱动发展战略方针以及科技发展、引进国外智力规划和政策并组织实施，牵头科研项目资金协调、评估、监管机制，拟订国家基础研究规划、政策和标准并组织实施，编制国家重大科技项目规划并监督实施等。
中国半导体行业协会和中国电子专用设备工业协会主要负责贯彻落实政府产业政策；开展产业及市场研究，向会员单位和政府主管部门提供咨询服务；行业自律管理；代表会员单位向政府部门提出产业发展建议和意见等。
半导体行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力、半导体芯片技术持续迭代，并逐步向精密化、微小化发展的趋势下，高端半导体设备的重要地位日益凸显。近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，为高端半导体设备行业的高质量发展提供了有力支持。相关政策具体内容列示如下：
《关于印发电子信息 制造业 2023—2024年 稳增长行动方案的通 知》
面向数字经济等发展需求，优化集成电 路、新型显示等产业布局并提升高端供 给水平，增强材料、设备及零配件等配 套能力。
着力提升“基础软硬件、核心电子元器 件、关键基础材料和生产装备的供给水 平，强化关键产品自给保障能力”。
《中华人民共和国国 民经济和社会发展第 十四个五年规划和 2035年远景目标纲要》
培育先进制造业集群，推动集成电路、 航空航天、船舶与海洋工程装备、机器 人、先进轨道交通装备、先进电力装备、 工程机械、高端数控机床、医药及医疗 设备等产业创新发展。
《国务院关于印发新 时期促进集成电路产 业和软件产业高质量 发展若干政策的通知》
半导体设备作为半导体产业链的技术先导者和核心支柱，是半导体产业发展的基础和技术进步的原动力，直接影响半导体产业整体的技术水平与创新能力。
随着半导体技术的迭代升级及工艺制程的提升，半导体元器件逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，半导体设备的重要地位日益凸显。
随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、高性能计算、 物联网、数据中心、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展将成为半导体行业 及产业链上下游需求增长的核心驱动力。其中，人工智能技术的快速发展需要依 靠超大规模算力作为基础支撑，这对于半导体芯片的工艺、性能及产能等方面均 产生了更高的要求，半导体行业正进入前所未有的变革时代，进而充分带动半导 体设备的市场需求量。由于终端强劲需求及产业发展的持续完善，全球半导体设 备整体市场规模在 2021-2024年持续超过 1,000亿美元，预计 2025年将创下 1,255 亿美元的新纪录，同比增长 7.4%。其中，中国大陆 2024年半导体设备销售额为 495.5亿美元，市场占比达到 42.30%，连续五年蝉联半导体设备最大单一市场。 数据来源：SEMI
根据 SEMI预测，随着 AI技术的持续驱动以及对 AI芯片需求的激增，全球300mm芯片制造厂设备投资支出将于 2025年首次突破 1,000亿美元，达到 1,070亿美元，并将于2028年达到1,380亿美元，其中，中国大陆将持续领先全球300mm芯片制造厂设备支出，2026-2028年间投资总额将达到 940亿美元。伴随着我国半导体产业持续的加大投入与政策扶持，国内半导体设备产业得到长足的发展，国内半导体设备厂商也将迎来巨大的成长机遇。
在半导体设备产业中，薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备并称为前道制造三大核心装备，是实现集成电路先进逻辑领域及 3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储领域芯片技术突破的核心支撑，薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。根据 SEMI统计，2024年芯片制造设备销售额达到约 1,042亿美元，2025年预计同比增长超过 6%，达到 1,108亿美元，占总体半导体设备销售 额的比例近 90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设 备市场的 22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为 244亿美元。 结合 2024年中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额的比 例 42.30%测算，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模将超过 100亿美元，具 有广阔的市场空间。 在薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和 性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，其中公司所聚焦的 PECVD、ALD、 SACVD、HDPCVD及 Flowable CVD等薄膜沉积设备的主要应用及薄膜材料如图示： 在逻辑芯片中的主要应用图示 在 3D NAND存储芯片中的主要应用图示 在 DRAM存储芯片中的主要应用图示 根据 SEMI统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄 膜沉积设备市场的 33%，ALD设备占比约为 11%，而 SACVD、HDPCVD、Flowable CVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为 6%。 全球半导体设备及芯片制造设备占比情况 数据来源：SEMI，同行业公司定期报告
随着后摩尔时代的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据 Yole统计，全球先进封装市场中 2.5D封装和 3D封装市场规模预计从 2023年的 43亿美元快速增至 2029年的 280亿美元，年复合增长率达 37%。
在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局， 成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键 合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术在三维集成领域的主要应用如 图示： 三维集成设备的应用场景随半导体技术演进持续拓展，已形成多领域需求共振的格局。在 3D NAND存储领域通过晶圆混合键合技术实现存储单元与逻辑电路的垂直堆叠，解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；在作为AI算力需求激增的核心受益领域高带宽存储器（HBM）中，预计混合键合技术将被引入以支持更高的堆叠层数和互连密度，将带来对混合键合设备的新需求；在 3D DRAM领域，依托三维集成技术实现存储芯片的垂直堆叠与高密度互连，突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗，满足 AI训练、高性能计算等对内存性能要求严苛的场景；在 CIS（CMOS图像传感器）领域，混合键合使得“三层堆叠”甚至“多层堆叠”成为可能，除了基础的像素层和逻辑层，还可以将 DRAM缓存层也键合进来，实现 CIS芯片内的高速数据缓冲；在 3D封装、Chiplet、异质集成等领域，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混合键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，助力终端芯片产品实现性能跃升与尺寸微型化。
（1）高端半导体设备系半导体产业链的关键环节，技术壁垒高，研发向量产转化周期长，需上下游协同创新、深度合作
半导体产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱，而半导体设备行业作为支撑半导体产业的基础，其核心竞争力源于跨学科前沿知识的深度集成与持续创新能力，涉及等离子体物理、射频及微波学、微观分子动力学、结构化学、光谱学、能谱学、精密机械、真空机械传输、软件算法等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，属于高度复杂的技术密集型产业。由于研发技术复杂且集成度高、制造难度大、设备价值高等特点，高端半导体设备亦被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。
半导体行业的技术研发与技术演进呈现高度的前瞻性，行业领先设备厂商需提前布局并探索各类物理极限和材料突破，开展超前于当前芯片制造节点技术代际的基础研究与工艺开发。此外，半导体芯片制造厂对高端半导体设备的质量、技术参数、稳定性等有着极为严苛的要求。芯片制造过程精密度高、制造工艺繁多，半导体设备特别是薄膜沉积设备等核心设备性能的微小差异经多道工艺放大后，可能对下游客户的产品良率、生产效率与成本造成极大不利影响，由于薄膜沉积设备所沉积的薄膜一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数影响芯片性能的程度更为明显。因此，下游客户对高端设备供应商的选择也较为慎重，优先选用行业内产品技术领先的厂商，并对其设备实施较长周期的验证流程。半导体产业链上下游企业围绕芯片制造工艺、基础学科的发展方向、产线迭代规律，进行产业链协同研发，共同推动行业内技术和工艺的发展，亦是重要行业特点。
（2）受宏观经济、新兴需求、扩产周期、技术迭代等多重因素影响，半导体设备行业呈现一定周期性
从需求端来看，半导体设备的需求高度依赖于人工智能、消费电子、数据中心、汽车工业等新兴行业的发展及宏观经济的景气度。终端产品需求波动的信号会沿着“终端应用—芯片设计—芯片制造”的产业链逐级传导，最终体现为芯片制造厂扩产的需求高涨或节奏放缓，因此，半导体设备需求受下游产能扩张节奏波动影响亦呈现一定周期性。
芯片技术迭代进一步强化行业周期性特征，随先进逻辑、3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等技术的快速迭代升级，芯片制造厂为适配新制程、新工艺的生产要求，往往需要启动新一轮产线升级与设备采购，带动半导体设备需求集中释放，因此，半导体设备行业受前述技术迭代周期影响亦出现一定周期性。
（3）下游需求的不断增长为高端半导体设备行业提供了良好的发展机遇和广阔的市场空间
先进制程的持续迭代，不仅推动工艺技术不断向更高性能演进，也同步带动了高端半导体设备的市场需求显著攀升。随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机器人及可穿戴设备等新兴领域技术的快速发展和需求的爆发式增长，对芯片的算力、能效、集成度提出了更高要求。为满足上述需求，芯片制造厂持续推进先进制程的技术迭代，同时扩大产能规模，直接拉动对高端半导体设备的适配需求，推动半导体设备行业持续扩容。
此外，随着传统硅基芯片在后摩尔时代逐步逼近物理极限，行业技术路径正在从单纯依靠制程升级的技术路径转向新架构设计、新材料应用及芯片堆叠等创新方向，进而对高端半导体设备提出更新、更高的技术创新要求，也开辟了新的市场增长空间。
根据 SEMI最新预测，受益于先进制程芯片的产能增加及后摩尔时代技术革新带来的新需求，高端半导体设备产业将迎来良好的发展机遇，拥有广阔的市场空间，作为核心设备之一的薄膜沉积设备亦有望总体保持增长态势。
（4）国家政策的大力支持为高端半导体设备行业提供了良好的发展环境 集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力、半导体芯片技术持续迭代，并逐步向精密化、微小化发展的趋势下，高端半导体设备的重要地位日益凸显。近年来，国家有关部门出台包括《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》等一系列鼓励扶持政策，为高端半导体设备行业的高质量发展提供了有力支持，国内整体产业链趋于完善。
公司以“建立高端半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
国家政策的持续出台充分彰显了公司所属行业在国民经济中的关键地位，也为高端半导体设备行业提供了良好的发展环境。
半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，并通过并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的先发优势。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业基本由海外国际巨头市场份额占比较高。根据 Gartner历史统计数据，在 CVD市场中，AMAT、LAM和 TEL三大厂商占据了全球约 70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，EV Group公司、SUSS、TEL等公司高度垄断了全球绝大部分的键合设备市场份额。
近年来，国内半导体设备在部分关键领域实现技术突破与创新，我国半导体产业生态与制造体系持续完善，高端设备自给率逐步提升。在国内半导体行业加速迭代创新、设备国产化率稳步提高、AI等新兴领域带动先进芯片需求大幅增长的背景下，以公司为代表的国内高端半导体设备厂商正迎来重要的战略机遇期，有望在技术突破与市场拓展中打开新的成长空间。
公司长期专注于高端半导体专用设备的研发与产业化，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提供具有竞争力的产品。公司在战略布局、研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源、人才队伍建设、供应链稳定等方面形成竞争优势，具体体现为：
公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战略方向、市场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积设备优势的基础上，面向后摩尔时代技术迭代方向，公司于 2018年即开始布局三维集成领域设备产品并实现了显著成果，形成“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。在薄膜沉积设备方面，构建覆盖 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和 Flowable CVD等全系列薄膜材料的设备矩阵，深度覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装等多元化应用场景的需求；在三维集成设备领域，布局并推出了晶圆对晶圆混合键合、芯片对晶圆混合键合等系列产品，相关设备已成功应用于 3D NAND、图像传感器等领域，该系列产品可为高带宽存储器（HBM）、Chiplet等芯片技术提供重要的设备支撑。
公司以“建立高端半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领域的技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。
同时，公司遵循战略方向稳步扩张，持续深耕现有核心赛道，推动在薄膜沉积设备和三维集成设备领域的纵深发展，同时，前瞻性布局前沿技术赛道，提前抢占行业未来发展制高点，稳步推进横向发展，适时进行产业链整合与业务延伸，不断提升综合竞争力与行业影响力。
公司始终坚持自主创新研发，以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向开展研发工作，实现薄膜沉积设备和三维集成设备的全研发环节覆盖，在硬件设计、工艺开发和系统集成等多方面，实现了核心技术自主可控。凭借深厚的整机装备自主研发经验和技术积累，公司保证了较高的研发自主性和灵活性，面向客户先进制程工艺需求，能够快速实现先进产品技术研发，并高效完成研发阶段向生产阶段的快速转化，及时响应下游的供货需求。
公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技术迭代需求，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁垒。在此基础上，公司基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研发，精准适配客户特定工艺材料、特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。企业能结合客户特定需求，提供定制化、适配度高解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现技术升级。此外，公司先后承担多项国家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、生产、供应各环节的协同创新体系，支撑产业链整体技术水平提升。
公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域，涵盖了先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术等，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产能。
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产权。截至 2025年 9月 30日，公司累计申请专利 1,918项（含 PCT），获得授权专利 646项，其中发明专利 324项。
公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、深度的覆盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户先进技术需求。在薄膜沉积设备领域，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，PECVD设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑芯片、存储芯片等领域广泛应用；在 ALD设备方面，推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国内装机量及工艺覆盖均领先；HDPCVD、SACVD、Flowable CVD设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求，已在多条产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备等系列产品已成功应用于 3D NAND、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。
公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成领域设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模化应用。薄膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司产品已进入超过70条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过 3000个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.96亿片；客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过 90%（达到国际主流水平）。此外，在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品，相关产品陆续通过客户验证并进入稳步放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。
公司产品已进入逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，实现主流芯片制造厂的深度覆盖与批量供货，适配从成熟制程到先进制程的工艺应用需求。公司与客户的合作模式已从单纯的设备供应升级为“协同研发+定制化适配+长期服务”的深度绑定模式，合作关系呈现稳定性强、覆盖面广、协同深入的特点，构建了可持续的客户生态体系。
公司已构建起一支兼具国际视野与产业深度的高端半导体专用设备技术研发及管理团队，通过“外部引智+内部育能”双轮驱动，形成了稳定、高效且具备创新活力的人才梯队，为技术突破与产品迭代提供核心支撑。
在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工艺开发、系统控制、软件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方面，公司自成立以来始终重视本土科研团队自主培养，伴随 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD、先进键合设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。
截至 2025年 9月 30日，公司研发人员规模达 678人，占员工总数的 40.72%，形成覆盖半导体设备研发全环节的学科布局。其中，博士研究生 59人，占研发人员的 8.70%，硕士研究生 416人，占研发人员的 61.36%，团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研发、工艺优化等环节分工明确、协同高效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。
报告期内，公司核心技术团队稳定，为技术研发的连续性与产品创新的持续性提供了坚实保障。
公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产品性能达到发行人先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
高端半导体设备行业属于典型的资金密集型、技术密集型行业，近年来，随着公司在手订单稳定增长，业务规模不断扩大，公司对流动资金需求不断增大；随着公司技术水平的提升，公司对前沿核心技术的投资需求也持续增加，由此对公司的资金储备提出了更高的要求，仅靠自身积累的资金模式可能难以充分把握行业快速发展带来的机遇。因此，公司急需拓展多元化融资渠道，以进一步增强资本实力，支撑产能扩张与技术研发，为公司可持续健康发展提供坚实保障。
公司作为国内高端半导体设备领域的领军企业，在技术水平、研发能力、行业地位、客户资源等方面具备一定优势，但面对未来产业发展趋势及下游客户对高端半导体设备日益增长的需求，公司现有产能难以满足未来市场需要。
因此，公司拟通过本次股票发行募集资金，加大优势项目投资，扩大产能规模，以充分满足客户需求、持续拓展市场占有率，巩固并提升行业竞争力和市场占有率，实现公司新一轮高质量发展。
企业主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司按照每个客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据 Demo订单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的 Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
产品报价、投标操作与管理（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。
通常客户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
公司主要是做高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领域实现量产。
报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核心竞争力，公司研制的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品和配套的量检测设备产品已实现产业化应用，并在先进制程领域新产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模逐步扩大，设备性能和产能均达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下： （1）PECVD系列新产品
PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更公司自成立就开始研制 PECVD设备，在 PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列 PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和 UV Cure产品。（未完）
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