到2025年12月1日 13:14，国证半导体芯片指数(980017)强势上涨1.36%，成分股(688126)等个股跟涨。半导体ETF(159813)上涨1.32%， 冲击6连涨。最新价报1.08元。成分股中首要系存储芯片大涨。
DRAM商场高度独占：三星、海力士、美光三家占有94%的商场占有率（CR3=94%），国内企业占比较低。
NAND Flash商场之间的竞赛更剧烈：除上述三家企业外，还包含铠侠和西数，CR5约96%，玩家更多导致其周期比DRAM更长，价格动摇更陡峭。
DRAM：正常供需库存为2-2.5个月，2024年Q1-Q3库存高达4-4.5个月，价格低迷；2025年Q2末降至2.3-2.5个月，挨近正常水平，价格开端上涨。
NAND Flash：库存略高于DRAM（约高0.5个月），2025年Q4已低于2个月，供应缺乏推进提价。
需求端结构：存储产品下流分为手机（35%）、服务器（30%）、PC（16%）、利基商场（16%）、车载（3%）。当时提价首要受服务器需求（AI驱动）和手机新品（如iPhone 17、小米17、华为Mate X6）影响，车载商场增加快但占比低影响有限。
移动端（LPDDR）：12GB（等效96Gb）从20多美元涨至51美元，手机存储本钱明显上升。
DRAM制程：世界三巨子最早进制程为D1β（约12nm），距离约1.5-2代（需1.5-2年追逐）。
NAND Flash堆叠层数：世界干流达296层（V9），因选用Xtacking技能（与世界COP技能不同），距离仅0.5-1代。
CBA（晶圆键合架构）：将存储阵列与逻辑阵列分两片晶圆制作，防止高温度高压力影响，可使用更先进制程（如7nm）提高功能。
4F²技能：经过笔直布局存储单元、电容和外围电路，缩小面积提高密度（当时干流为6F²）。
三星：韩国4座晶圆厂（华城、平泽、天安、七星）+1座封装厂；海外仅我国有西安（NAND Flash全流程）和姑苏（DRAM封测）。
海力士：韩国青州、龙仁工厂；美国1座；我国无锡（DRAM）、大连（收买英特尔NAND Flash工厂）。
稼动率操控：当时各家稼动率不高，方案2025年12月提高至90%-95%。原厂汲取2022-2023周期经验，防止盲目扩产导致价格。
与AI强相关：HBM仅用于AI服务器，与AI需求呈充沛必要联系。2025年AI服务器占服务器总需求15%。
用量：A100显卡用HBM 320GB，H100用640GB；多模态AI（如图画/视频）将推进用量进一步增加。
2023年末产能10万片晶圆，2025年达32.6万片（扩产2倍），对应1200万张GPU板卡。
结构：经过TSV（硅通孔）、微凸点、中介层等先进封装完成3D堆叠，与GPU/TPU集成。
键合工艺：海力士选用MR-MAP（功率高但精度低），三星/美光用TC-NCF（精度高但功率低）；未来均转向混合键合（Hybrid Bonding）以满意高I/O需求。
TSV工艺：包含刻蚀、堆积、电镀、减薄、键合五步。刻蚀设备由使用资料、泛林独占。
2026年猜测：海力士42%、三星40%、美光18%。美光因越过HBM3直接开发HBM3e/4，技能堆集深沉；三星凭仗晶圆代工优势（如为阿里、新源代工）绑定客户。
存储商场由供应端（库存、稼动率操控）和需求端（AI服务器、手机新品）一起推进提价，估计价格将继续上行至2025年末。
半导体ETF严密盯梢国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片工业相关上市公司的商场体现，丰厚指数化出资东西，编制国证半导体芯片指数。
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